EUVL露光システム

現在において、あらゆる分野に半導体デバイスは利用されていますが、さらなるLSIの高密度化は必要不可欠になっています。超LSI高集積化のカギを握るステッパー（縮小投影型(逐次)露光装置）は現在まで紫外線を用いていました。

さらなる微細化の要求に答えるためにEUVL（極端紫外線　波長：10から14nm）を利用してパターンをレジスト膜に焼き付ける方法が考案され、その研究のために弊社は本装置を製作しました。

そして、その研究成果として0.04μm線幅の露光パターンを得ることに成功しました。この技術によって、半導体メモリにおいては集積能力を従来の1000倍に向上させることが可能になります。

EUVL装置断面図